IPB200N15N3
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB200N15N3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | OptiMOS™ 3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1820 pF @ 75 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
IPB200N15N3 Einzelheiten PDF [English] | IPB200N15N3 PDF - EN.pdf |
IPB200N25N3 Infineon
IPB200N25N3 G Infineon Technologies
INFINEON TO-263-7L
IPB200N15N3 G Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IPB200N15N3S INFINEON
TRENCH >=100V PG-TO263-3
IPB200N25N3G INFINNO
INFINEON TO-263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB200N15N3Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|